Garbuzov, Dmitrij Zalmanovič
Aktuální verze stránky ještě nebyla zkontrolována zkušenými přispěvateli a může se výrazně lišit od verze recenzované 4. ledna 2022; ověření vyžaduje 1 úpravu .| Dmitrij Zalmanovič Garbuzov | |
|---|---|
| Datum narození | 27. října 1940 |
| Místo narození |
|
| Datum úmrtí | 20. srpna 2006 (65 let) |
| Místo smrti |
|
| Země | |
| Místo výkonu práce | |
| Ocenění a ceny |
  |
Dmitrij Zalmanovič Garbuzov ( Dmitri Z. Garbuzov ) (27. 10. 1940, Sverdlovsk - 20. 8. 2006, Princeton ) - sovětský, ruský a americký fyzik, člen korespondent Ruské akademie věd (1991).
Životopis
Narodil se ve Sverdlovsku v rodině inženýra.
Absolvent Fyzikální fakulty Leningradské státní univerzity (1962).
Od roku 1964 pracoval ve skupině Zh. I. Alferova na Leningradském Fyzikálním a technologickém institutu, od roku 1979 - vedoucí. laboratoř.
V roce 1968 obhájil Ph.D. a v roce 1979 doktorskou disertační práci na téma "Radiativní rekombinace v AlGaAs heterostrukturách".
V roce 1972 jako součást týmu získal Leninovu cenu za „Základní výzkum heteropřechodů v polovodičích a vývoj nových zařízení na nich založených“.
V roce 1987 byl laureátem Státní ceny SSSR.
Člen korespondent Ruské akademie věd (7. 12. 1991), oddělení radiofyziky a elektroniky, sekce fyziky, energetiky, radioelektroniky.
V roce 1992 obdržel cenu A. Humboldta a finanční grant za roční práci v Německu (Technická univerzita v Berlíně).
V roce 1994 emigroval do USA. Pracoval na Princetonské univerzitě, Sarnov Corporation a řadě společností spojených s laserovou technologií. V roce 2000 - jeden ze zakladatelů Princeton Lightwave Inc, viceprezident výzkumu.
Zemřel v roce 2006 na rakovinu v Princetonu, New Jersey.
Jeden z průkopníků ve vývoji diodových laserů při pokojové teplotě a vysoce výkonných diodových laserů. Rozhodujícím způsobem přispěl ke vzniku diodových laserů s vlnovou délkou 0,8 až 2,7 μm.
Pod jeho vedením byly studovány heteropřechody v pevných roztocích InGaAsP/InP. Lasery této struktury se staly základem optické komunikace.