Šveikin, Vasilij Ivanovič
| Vasilij Ivanovič Šveikin | |
|---|---|
| Datum narození | 4. února 1935 |
| Datum úmrtí | 4. ledna 2018 (82 let) |
| Vědecká sféra | polovodičové lasery |
| Místo výkonu práce | Výzkumný ústav "Polyus" pojmenovaný po M. F. Stelmakh |
| Ocenění a ceny |
  |
Vasily Ivanovič Shveikin (02/04/1935 - 01/04/2018) - sovětský a ruský vědec, zakladatel směru polovodičových laserů na Polyus Research Institute pojmenovaném po M. F. Stelmakh , doktor technických věd, profesor, laureát Lenina cena _
Narozen 02.04.1935 v Moskvě.
Vystudoval Fyzikální fakultu Moskevské státní univerzity (1958) a postgraduální studium, v roce 1961 obhájil disertační práci. Pracoval tam jako mladší vědecký pracovník. Navrhl metodu vytváření injekčních laserů na polovodičové struktury (autorský certifikát s prioritou z 25.11.1961).
Od října 1962 do roku 2003 - ve Výzkumném ústavu Polyus: mladší vědecký pracovník, vedoucí výzkumný pracovník - vedoucí laboratoře (1963), vedoucí oddělení polovodičových laserů (1974-1994), od roku 2001 hlavní výzkumný pracovník.
Pod jeho vedením v roce 1965 vznikla první průmyslová laserová dioda LD-1 a polovodičový kvantový generátor Kometa.
V letech 1978 až 1990 byl hlavním konstruktérem směru polovodičových laserů Ministerstva elektronického průmyslu SSSR.
Zakladatel základního oddělení MIREA ve Výzkumném ústavu Polyus a jeho první vedoucí. Doktor technických věd, profesor.
Leninova cena byla udělena v roce 1972 za vývoj a zvládnutí polovodičových laserů jako součást týmu autorů. Byl vyznamenán Řádem rudého praporu práce a medailemi.
Zemřel 4. ledna 2018 po těžké a vleklé nemoci.