Zdroj Siam Photon | |
---|---|
Typ | Synchrotron |
Účel | Zdroj SI |
Země | Thajsko |
Laboratoř | SLRI |
Roky práce | od roku 2003 |
Technické specifikace | |
Částice | elektrony |
Energie | 1,2 GeV |
Obvod/délka | 81,3 m |
Betatronové frekvence | 4,75, 2,82 |
emisemi | 41 nm rad |
Paprskový proud | 150 mA |
Délka sraženiny | 29 mm |
Doby rozpadu | 10/9,8/4,7 ms |
Život | 12 hodin |
jiná informace | |
Zeměpisné souřadnice | 14°52′22″ s. sh. 102°01′18″ palců. e. |
webová stránka | slri.or.th/en/ |
Siam Photon Source je komplex urychlovačů , zdroj synchrotronového záření 3. generace v Nakhon Ratchasima , Thajsko . Komplex spravuje laboratoř SLRI ( Synchrotron Light Research Institute ), která se nachází v kampusu Suranari Technological University [1] .
Komplex [2] se skládá z elektronového linac děla 40 MeV , booster synchrotronu o obvodu 43,2 m pro energii 1 GeV [3] a akumulačního prstence o obvodu 81,3 m pro energii až 1,2 GeV [4] . Akumulátor má 4 superperiody, struktura buňky DBA , pole ohybových magnetů 1,2 T. Jsou zde 4 přímočaré mezery o délce 5,2 m, z nichž jedna má undulátor s permanentním magnetem , plánuje se také instalace wiggleru s permanentním magnetem s polem 2,4 T a supravodivým posuvníkem s polem 6,5 T [2] .
Vybaveno 10 SR výstupy do experimentálních stanic pro infračervenou a rentgenovou spektroskopii , hlubokou rentgenovou litografii , krystalografii [5] .
Prehistorie instalace sahá do roku 1989, kdy byla v Japonsku postavena SR zdroje korporací SORTEC pro rozvoj průmyslové výroby metodou rentgenové litografie . Za účasti firem Toshiba a Mitsubishi ve městě Tsukuba byl vybudován urychlovací komplex pro energii 1 GeV [6] .
Následně byla práce SORTECu omezena a součásti urychlovačů byly převezeny do Thajska, kde v roce 1996 z rozhodnutí vlády Národní centrum pro synchrotronové záření (National Synchrotron Research Center) začalo vytvářet SR zdroj Siam Photon Zdroj [7] . Později byla založena řídící organizace Synchrotron Light Research Institute. V roce 2003 začala SPS pracovat pro spotřebitele.
Je vypracován projekt nového moderního SR zdroje založeného na 3 GeV synchrotronu s obvodem 321 m a emitancí 1 nm [8]