Iontové vrstvení (IS) je jednou z metod vrstvené syntézy nanomateriálů za účasti roztoků činidel a substrátu dispergované nebo blokové látky, na jejímž povrchu syntéza probíhá . Reagenciemi při syntéze jsou roztoky kovových solí nebo polyelektrolytů obsahující kationty a anionty , které v procesu interakce ve vrstvě adsorbovaných iontů tvoří nanovrstvu těžko rozpustné sloučeniny na povrchu substrátu . Nezbytnou podmínkou pro syntézu nanovrstev metodou SI je odstranění přebytečných roztoků reagencií, například promytím substrátu rozpouštědlem po každé z fází ošetření substrátu jimi (na obr. 1 pomocí a roztoku soli M 2 A 2 ) a opět s rozpouštědlem je jeden cyklus IN. Tloušťka vrstvy v procesu syntézy je dána počtem po sobě jdoucích cyklů IN.
Metoda IN byla poprvé nezávisle navržena v patentu Nicolau YF a patentu Tolstého V. P. et al. na příkladech syntézy vrstev ZnS a Mn02 . V anglické literatuře se metoda nazývá postupná depozice iontové vrstvy (SILD) nebo postupná adsorbce a reakce iontové vrstvy (SILAR). V řadě prací se také používají termíny elektrostatická Layer-by-Layer (eLbL) a Layer-by-Layer (LbL) syntéza. Touto metodou se syntetizují nanovrstvy široké škály anorganických, organických nebo hybridních anorganických a organických látek pomocí speciálních automatizovaných instalací, ve kterých je implementována jedna z metod syntézy např. ponořením substrátu do roztoků (viz obr. 1). nástřik roztoků na povrch substrátu nebo sekvenční a vícenásobné nanášení kapiček roztoků na rotující substrát .