Technologický proces v elektronickém průmyslu

Aktuální verze stránky ještě nebyla zkontrolována zkušenými přispěvateli a může se výrazně lišit od verze recenzované 15. září 2022; kontroly vyžadují 9 úprav .

Technologický postup výroby polovodičů -  technologický postup výroby polovodičových (p/p) výrobků a materiálů; část výrobního procesu pro výrobu p/p produktů ( tranzistory , diody atd.); tvoří: sled technologických (zpracování, montáž) a kontrolních operací.

Fotolitografie a litografická zařízení se používají při výrobě p / p produktů . Rozlišení (v mikronech a nm ) tohoto zařízení (tzv. konstrukční standardy ) určuje název konkrétního použitého technologického procesu.

Zlepšení technologie a úměrné zmenšení velikosti p/p struktur přispívá ke zlepšení charakteristik (velikost, spotřeba, provozní frekvence, cena) polovodičových součástek ( obvody , procesory , mikrokontroléry atd.). To je zvláště důležité pro procesorová jádra , pokud jde o spotřebu energie a zlepšení výkonu, proto jsou procesory (jádra) hromadné výroby na tomto technickém procesu uvedeny níže.

Etapy technologického procesu při výrobě mikroobvodů

Technologický postup výroby polovodičových součástek a integrovaných obvodů ( mikroprocesory , paměťové moduly atd.) zahrnuje následující operace.

Tepelná difúze  je řízený pohyb částic látky ve směru snižování jejich koncentrace: je určen koncentračním gradientem. Často se používá k zavádění příměsí do polovodičových destiček (nebo na nich narostlých epitaxních vrstev) pro získání opačného typu vodivosti ve srovnání s původním materiálem nebo prvky s nižším elektrickým odporem. Iontový doping (používaný při výrobě polovodičových součástek s vysokou hustotou přechodu, solárních článků a mikrovlnných struktur) je určen počáteční kinetickou energií iontů v polovodiči a provádí se ve dvou fázích:
  1. ionty jsou zavedeny do polovodičové destičky ve vakuové instalaci
  2. žíhané při vysoké teplotě
V důsledku toho se obnoví porušená struktura polovodiče a ionty nečistot obsadí uzly krystalové mřížky.

Technologie výroby polovodičových produktů se submikronovými velikostmi prvků jsou založeny na extrémně široké škále složitých fyzikálních a chemických procesů: tenké vrstvy se získávají tepelným a iontově-plazmovým naprašováním ve vakuu, destičky jsou obráběny podle 14. třídy čistoty s odchylka od rovinnosti maximálně 1 mikron , široce se používá laserové zářeníaultrazvukové se žíhání v kyslíku a vodíku, provozní teploty při tavení kovů dosahují více než 1500 °C, zatímco difúzní pece udržují teplotu s přesností 0,5 ° C, jsou široce používány nebezpečné chemické prvky a sloučeniny (například bílý fosfor ).

To vše vede ke zvláštním požadavkům na průmyslovou hygienu, takzvanou „elektronickou hygienu“, protože v pracovní oblasti zpracování polovodičových destiček nebo při montáži krystalů by nemělo být více než pět prachových částic o velikosti 0,5 mikronu . v 1 litru vzduchu. Proto v čistých prostorách v továrnách na výrobu takových výrobků jsou všichni pracovníci povinni nosit speciální kombinézy [1] . V propagačních materiálech Intelu se dělnické kombinézy nazývaly bunny suit ("bunny suit") [2] [3] .

Technologické procesy 70. - 80. let

Rané technické procesy, před standardizací NTRS (National Technology Roadmap for Semiconductors) a ITRS , byly označeny jako „xx mikronů“ (xx mikronů), kde xx nejprve označovalo technické rozlišení litografického zařízení, poté začalo označovat délku tranzistoru. brána, poloviční rozteč kovových čar (poloviční rozteč) a šířka kovové čáry. V 70. letech 20. století existovalo několik technických procesů, zejména 20, 10, 8, 6, 4, 3, 2 mikrony; v průměru každé tři roky došlo k poklesu kroku s koeficientem 0,7 [4]

3 µm

3 µm je procesní technologie, která odpovídá úrovni technologie dosažené v roce 1975 společností Zilog ( Z80 ) a v roce 1979 společností Intel ( Intel 8086 ). Odpovídá lineárnímu rozlišení litografického zařízení, přibližně rovné 3 µm.

1,5 µm

1,5 µm je procesní technologie, která odpovídá úrovni technologie dosažené společností Intel v roce 1982. Odpovídá lineárnímu rozlišení litografického zařízení, přibližně rovné 1,5 µm.

0,8 µm

0,8 mikronu je procesní technologie, která odpovídá úrovni technologie dosažené koncem 80. a začátkem 90. let společnostmi Intel a IBM .

0,6 µm / 0,5 µm

Procesní technologie dosažená výrobními zařízeními Intel a IBM v letech 1994-1995.

Procesní technologie po polovině 90. let

Označení procesů realizovaných od poloviny 90. let byla standardizována NTRS a ITRS a stala se známá jako „Technology Node“ nebo „Cycle“. Skutečné rozměry hradel tranzistorů v logických obvodech se poněkud zmenšily, než je uvedeno v názvu technických procesů 350 nm - 45 nm v důsledku zavedení technologií ztenčování rezistory a ztenčování rezistory . Od té doby obchodní názvy technických procesů přestaly odpovídat délce závěrky [4] [5] .

S přechodem na další procesní technologii ITRS se plocha, kterou zabírá standardní buňka 1 bit paměti SRAM, v průměru zmenšila na polovinu. Mezi lety 1995 a 2008 docházelo k tomuto zdvojnásobení hustoty tranzistorů v průměru každé 2 roky [4] .

350 nm

350 nm je procesní technologie, která odpovídá úrovni technologie dosažené v letech 1995-97 předními výrobci čipů, jako jsou Intel, IBM a TSMC . Odpovídá lineárnímu rozlišení litografického zařízení, přibližně rovné 0,35 µm.

250 nm

250 nm je procesní technologie, která odpovídá úrovni technologie dosažené v roce 1998 předními výrobci čipů. Odpovídá lineárnímu rozlišení litografického zařízení, přibližně rovné 0,25 µm.

Je použito až 6 kovových vrstev, minimální počet litografických masek je 22 .

180 nm

180 nm je procesní technologie, která odpovídá úrovni technologie dosažené v roce 1999 předními výrobci čipů. Odpovídá zdvojnásobení hustoty balení u předchozího 0,25 µm procesu.Také poprvé jsou použity vnitřní spoje založené na čipech na bázi mědi s nižším odporem než předchozí hliník.

Obsahuje až 6-7 vrstev kovu. Minimální počet litografických masek je asi 22 .

130 nm

130 nm je procesní technologie, která odpovídá úrovni technologie dosažené v roce 2001 předními výrobci čipů. V souladu s modely ITRS [6] odpovídá zdvojnásobení hustoty umístění prvků ve srovnání s předchozí 0,18 mikronovou procesní technologií.

Procesní technologie menší než 100 nm

Různé technologické aliance se mohou řídit různými pokyny (Foundry/IDM), které odkazují na jemnější procesy. Zejména TSMC používá označení 40nm, 28nm a 20nm pro procesy, které jsou svou hustotou podobné 45nm, 32nm a 22nm procesům Intelu [7] .

90 nm

90 nm je procesní technologie odpovídající úrovni polovodičové technologie, které bylo dosaženo v letech 2002-2003 . V souladu s modely ITRS [6] odpovídá zdvojnásobení hustoty umístění prvků oproti předchozímu technickému procesu 0,13 µm.

90nm návrhový proces se často používá u technologií napjatého křemíku, stejně jako u nových dielektrických materiálů s nízkým kk .

65 nm

65 nm je procesní technologie, která odpovídá úrovni technologie dosažené do roku 2004 předními výrobci čipů. V souladu s modely ITRS [6] odpovídá zdvojnásobení hustoty rozmístění prvků ve srovnání s předchozí 90 nm procesní technologií.

45 nm / 40 nm

45 nm a 40 nm je technický proces odpovídající úrovni technologie dosažené v letech 2006-2007 předními společnostmi vyrábějícími čipy. Podle modelů ITRS [6] odpovídá zdvojnásobení hustoty umístění prvků ve srovnání s předchozí 65 nm procesní technologií.

Stala se revoluční pro mikroelektronický průmysl, protože to byla první procesní technologie využívající technologii high-k / metal gate [8] [9] (HfSiON / TaN v technologii Intel), která nahradila fyzicky ochuzený SiO 2 /poly-Si

32 nm / 28 nm

32 nm je technický proces, který odpovídá úrovni technologie dosažené v letech 2009-2010 předními společnostmi vyrábějícími čipy. V souladu s modely ITRS [6] odpovídá zdvojnásobení hustoty umístění prvků ve srovnání s předchozí 45 nm procesní technologií.

Na podzim roku 2009 Intel přecházel na tuto novou procesní technologii [10] [11] [12] [13] [14] . Od začátku roku 2011 jsou procesory vyráběny touto procesní technologií.

Ve třetím čtvrtletí roku 2010 zahájila továrna Fab 12 společnosti TSMC na Tchaj-wanu hromadnou výrobu produktů využívajících technologii, která získala marketingové označení „28 nanometrů“ [15] (není označení doporučené ITRS).

V květnu 2011 společnost Altera uvedla na trh největší čip na světě sestávající z 3,9 miliardy tranzistorů pomocí 28 nm technologie [20] .

22 nm / 20 nm

22 nm je technický proces odpovídající úrovni technologie dosažené v letech 2009-2012 . přední společnosti - výrobci mikroobvodů. Odpovídá zdvojnásobení hustoty prvků ve srovnání s předchozí 32 nm procesní technologií.

22 nm prvky jsou tvořeny fotolitografií, při které je maska ​​vystavena světlu o vlnové délce 193 nm [21] [22] .

V roce 2008 na výroční výstavě špičkových technologií International Electron Devices Meeting v San Franciscu předvedla technologická aliance společností IBM, AMD a Toshiba paměťovou buňku SRAM vyrobenou pomocí 22nm procesní technologie z tranzistorů typu FinFET , která zase, jsou vyrobeny pomocí pokročilé technologie high-k /metal gate (tranzistorová hradla nejsou vyrobena z křemíku, ale z hafnia ), s plochou pouze 0,128 μm² (0,58 × 0,22 μm) [23] .

IBM a AMD také oznámily vývoj 0,1 μm² SRAM buňky založené na 22 nm procesní technologii [24] .
První funkční zkušební vzorky běžných struktur (SRAM) představil Intel veřejnosti v roce 2009 [25] . 22nm testovacími čipy jsou paměti SRAM a logické moduly. Buňky SRAM o velikosti 0,108 a 0,092 µm2 pracují v polích s 364 miliony bitů. Článek 0,108 µm² je optimalizován pro prostředí s nízkým napětím, zatímco článek 0,092 µm² je nejmenší dnes známý článek SRAM.

Tato technologie se používá k výrobě (od začátku roku 2012):

16 nm / 14 nm

Od května 2014 Samsung pokračoval ve vývoji 14nm LPE/LPP procesní technologie [26] ; a plánuje vydat procesory pro Apple v roce 2015 [27] .

Od září 2014 společnost TSMC pokračovala ve vývoji 16nm technologie Fin Field Effect Transistor ( FinFET ) a naplánovala zahájení 16nm výroby v 1. čtvrtletí 2015 [28] .

Podle rozsáhlé strategie Intelu se zmenšení na 14nm původně očekávalo rok po představení čipu Haswell (2013); procesory na nové procesní technologii budou využívat architekturu nazvanou Broadwell . Pro kritické vrstvy procesní technologie 14 nm Intel požadoval použití masek s technologií inverzní litografie (ILT) a SMO (Source Mask Optimization) [29]

Společnost MCST v roce 2021 představila 16nm procesor Elbrus-16C .

V dubnu 2018 AMD představilo procesory Zen+ založené na vylepšeném 14nm procesu, předběžně označovaném jako „12nm“:

10 nm

Tchajwanský výrobce United Microelectronics Corporation (UMC) oznámil, že se připojí k IBM Technology Alliance , aby se podílel na vývoji 10nm CMOS procesu [31] .

V roce 2011 byly zveřejněny informace o plánech Intelu zavést do roku 2018 10nm procesní technologii [32] , v říjnu 2017 Intel oznámil plány na zahájení výroby před koncem roku 2017 [33] , ale nakonec, po vydání z extrémně omezené šarže 10nm mobilních procesorů Intel Core i3-8121U v roce 2018 začala masová výroba procesorů Intel pomocí 10nm procesní technologie až v roce 2019 pro mobilní zařízení a v roce 2020 pro stolní zařízení.

Zkušební výrobu podle 10 nm standardů plánovala TSMC na rok 2015 a sériovou výrobu - na rok 2016 [34] .
Na začátku roku 2017 byl výkon 10 nm asi 1 % produkce TSMC [35]

Samsung zahájil 10nm výrobu v roce 2017 [36]

7 nm

Intel na 7nm procesní technologii (očekává se v roce 2022) [39] , podle Hardwareluxx plánuje umístit 242 milionů tranzistorů na čtvereční milimetr [40] .

V roce 2018 zahájily továrny TSMC výrobu mobilních procesorů Apple A12 [41] , Kirin 980 [42] a Snapdragon 855 [43] . Výroba 7nm procesorů na architektuře x86 je zpožděna, první vzorky na této architektuře se objevují nejdříve v roce 2019. Podle online publikace Russian Tom's Hardware Guide , s použitím první generace 7nm procesní technologie, může TSMC umístit 66 milionů tranzistorů na čtvereční milimetr, zatímco současně s použitím 10nm procesní technologie může Intel umístit 100 milionů tranzistorů na podobná oblast [44] . Přechod na druhou generaci[ upřesnit ] 7nm proces TSMC proběhl v roce 2019. Prvním masovým produktem vyrobeným touto procesní technologií byl Apple A13 .

Čínský SMIC vyrábí 7nm čipy na svém starém zařízení od roku 2021 [45]

Produkty:

6 nm / 5 nm

16. dubna 2019 společnost TSMC oznámila vývoj 6 nm procesní technologie v rizikové výrobě, která umožňuje zvýšit hustotu balení mikroobvodových prvků o 18 %, tato procesní technologie je levnější alternativou k 5 nm procesní technologii, umožňuje snadno škálovat topologie vyvinuté pro 7 nm [49] .

V první polovině roku 2019 začala společnost TSMC riskovat výrobu 5nm čipů. [50] ; přechod na tuto technologii umožňuje zvýšit hustotu balení elektronických součástek o 80 % a zvýšit rychlost o 15 % [51] . Podle China Renaissance zahrnuje procesní technologie TSMC N5 170 milionů tranzistorů na čtvereční milimetr [52] .

Samsung v březnu 2017 představil plán vydání procesorů pro 7- a 5nm technologie. Viceprezident společnosti Samsung pro technologie Ho-Q Kang během prezentace poznamenal, že mnoho výrobců narazilo na problém při vývoji technologií pod 10 nm. Samsungu se však podařilo dosáhnout cíle, jehož klíčem bylo použití tranzistoru s efektem pole s „kroužkovým“ hradlem ( GAAFET ). Tyto tranzistory umožní společnosti pokračovat ve snižování velikosti na 7nm a 5nm. K výrobě destiček bude společnost používat extrémní ultrafialovou litografii (EUV) [53] . V roce 2020 zahájil Samsung hromadnou výrobu 5nm čipů [54] . Hustota procesní technologie Samsung 5LPE byla 125-130 milionů tranzistorů na čtvereční milimetr [52] .

Prvním masovým produktem vyrobeným pomocí 5nm technologie byl Apple A14 , představený v září 2020. Za ním byl v listopadu 2020 představen procesor Apple M1 , určený pro počítače Macintosh .

4 nm

3 nm

Výzkumné centrum IMEK (Belgie) a Cadence Design Systems vytvořily technologii a na začátku roku 2018 vydaly první zkušební vzorky mikroprocesorů využívajících 3 nm technologii [55] .

Podle společnosti TSMC , která 3nm topologii představila na konci roku 2020, se přechodem na ni zvýší výkon procesoru o 10–15 % oproti současným 5nm čipům a jejich spotřeba se sníží o 25–30 %. [56]

Samsung si klade za cíl začít vyrábět 3nm produkty pomocí technologie GAAFET do roku 2021 [57] [58] .
30. června 2022 Samsung oznámil, že zahájil masovou výrobu 3nm procesorů a stal se tak první společností, které se to podařilo [59] [60] .

Intel ve spolupráci s TSMC hodlá vydat svůj první 3nm procesor na začátku roku 2023 (Intel má návrh designu pro minimálně dva 3nm čipy, jeden pro notebooky a druhý pro použití v serverech). Apple se také připravuje na přechod na 3 nm - plánuje jej provést na jaře 2022 s vydáním nové modifikace tabletu iPad Pro . [56]

2 nm

V květnu 2021 IBM oznámilo vytvoření prvního 2nm čipu [61] [62] .

Podle generálního ředitele TSMC je v rámci přechodu na 2nm technologii kladen důraz na energetickou účinnost: rychlost spínání tranzistorů, která přímo ovlivňuje výkon součástky, se při stejné spotřebě energie zvýší o 10–15 % nebo bude možné dosáhnout snížení spotřeby energie o 20-30 % při stejné výkonnostní úrovni; hustota tranzistorů se oproti procesu N3E zvýší pouze o 20 % (což je pod typickým nárůstem). [63] . 2nm čipy od TSMC (procesní technologie N2) se objeví v roce 2026 [64]

Podle předpokladů [65] , v roce 2029 Intel plánuje přechod na 1,4 nm.

Viz také

Poznámky

  1. ↑

    Jako osobní ochranné prostředky se používají kombinézy vyrobené z metalizované tkaniny (montérky, pláště, zástěry, bundy s kapucí a v nich zabudované brýle)

    - Gorodilin V. M. , Gorodilin V. V. § 21. Radiace, jejich vlivy na životní prostředí a opatření k boji za životní prostředí. // Seřízení rádiového zařízení. - Čtvrté vydání, přepracované a rozšířené. - M . : Vyšší škola, 1992. - S. 79. - ISBN 5-06-000881-9 .
  2. ↑ Zdrobnělost a čistota (nepřístupný odkaz) . Získáno 17. listopadu 2010. Archivováno z originálu 5. srpna 2013. 
  3. ↑ Intel Museum – From Sand to Circuits . Získáno 17. listopadu 2010. Archivováno z originálu 20. listopadu 2010.
  4. ↑ 1 2 3 H. Iwai. Plán pro 22 nm a více  //  Mikroelektronické inženýrství. — Elsevier, 2009. — Sv. 86 , iss. 7-9 . - S. 1520-1528 . - doi : 10.1016/j.mee.2009.03.129 . Archivováno z originálu 23. září 2015. ; diapozitivy Archivováno 2. dubna 2015 na Wayback Machine
  5. ↑ Co vlastně znamená '45-nm'? Archivováno 28. března 2016 na Wayback Machine // EDN, 22. října 2007 „Výsledkem bylo, že o 350 nm (ve skutečnosti se v té době nazývalo 0,35 mikronu) se „350 nm“ stalo pouhým názvem procesu. než míra jakékoli fyzické dimenze."
  6. ↑ 1 2 3 4 5 Semiconductor Design Technology and System Drivers Roadmap: Process and Status – Part 3 Archived 2. April 2015 at Wayback Machine , 2013: „ ITRS MPU driver model ..scale the number of logic transistors .. by 2 × na technologický uzel. Protože se rozměry zmenšují o 0,7× na uzel a nominální hustota rozvržení se proto zdvojnásobuje, tento jednoduchý model měřítka umožňuje, aby velikost matrice zůstala konstantní napříč technologickými uzly. »
  7. ↑ Scotten Jones . Kdo povede při 10nm? , SemiWiki (29. září 2014). Archivováno z originálu 14. června 2016. Staženo 27. října 2015.
  8. ↑ TISKOVÁ SADA – První 45nm čipy: Ekologické. Rychleji. 'Chladič'. . Získáno 5. ledna 2014. Archivováno z originálu 6. ledna 2014.
  9. ↑ Intel demonstruje průlom High-k + Metal Gate Transistor na 45nm mikroprocesorech . Získáno 5. ledna 2014. Archivováno z originálu 6. ledna 2014.
  10. ↑ Intel 32nm Logic Technology Archivováno 5. června 2011 na Wayback Machine 
  11. ↑ Procesory Intel na 32nm technologii (nepřístupný odkaz) . Získáno 6. června 2010. Archivováno z originálu dne 30. března 2010. 
  12. ↑ Nové podrobnosti o nadcházející 32nm logické technologii Intel Archivovány 4. listopadu 2009 na Wayback Machine 
  13. ↑ Bílá kniha Představení 32nm procesní technologie Intel Archivováno 24. srpna 2009 na Wayback Machine 
  14. ↑ Vysoce výkonná 32nm logická technologie obsahující tranzistory High-k + Metal Gate 2. generace . Získáno 6. června 2010. Archivováno z originálu 21. srpna 2010.
  15. ↑ TSMC překonává výzvy 40nm a letos se spustí na 28nm (odkaz není dostupný) . Získáno 19. června 2019. Archivováno z originálu 6. října 2017. 
  16. ↑ AMD opravuje nevýhody buldozeru v architektuře Steamroller . Získáno 13. července 2013. Archivováno z originálu dne 21. června 2013.
  17. ↑ Nová architektura „Steamroller“ AMD v roce 2014? Archivováno 28. února 2014 na Wayback Machine // 3.01.2013
  18. ↑ MCST . Nový 8jádrový mikroprocesor Elbrus-8C . Archivováno 11. listopadu 2020. Staženo 26. června 2014.
  19. ↑ Osmijádrový mikroprocesor s architekturou Elbrus (nepřístupný odkaz) . Archivováno z originálu 25. června 2014. 
  20. ↑ Altera Corporation nastavuje nový průmyslový rekord – Stratix V Field-Programmable Gate Array (FPGA) (odkaz není k dispozici) . Získáno 29. května 2011. Archivováno z originálu 5. března 2016. 
  21. ↑ Novinky z Intel Developer Forum (IDF) konaného od 22. do 24. září v San Franciscu  (nepřístupný odkaz)
  22. ↑ Rosettská deska litografie archivována 28. listopadu 2013 na Wayback Machine , 2013-11-20, na základě Larse Leibmanna, The Escalating Design Impact of Resolution-Challenged Lithography. ICCAD 2013
  23. ↑ IBM, AMD a Toshiba demonstrují první 22nm paměťovou buňku SRAM  (nedostupný odkaz)
  24. ↑ IBM a AMD předvedou 22nm paměťovou buňku (odkaz není k dispozici) . Získáno 7. června 2010. Archivováno z originálu dne 5. března 2016. 
  25. ↑ Intel Developer Forum 22nm Novinky Fakta . Získáno 6. června 2010. Archivováno z originálu dne 7. října 2009.
  26. ↑ [1] Archivováno 17. května 2014 na Wayback Machine // digitimes.com
  27. ↑ Samsung bude pro Apple vyrábět procesory podle 14 nm standardů. Archivováno z originálu 5. července 2017. // iXBT.com
  28. ↑ TSMC zahájí 16nm výrobu v Q1 2015 Archivováno 1. srpna 2014 na Wayback Machine // nvworld.ru
  29. ↑ V. Singh. EUV: The Computational Landscape EUVL Workshop, 2014 Archivováno 22. prosince 2015 na Wayback Machine „ILT+SMO se používají k ostření obrazu kritických masek pro 14nm a 10nm uzly“
  30. ↑ Intel začíná prodávat 14nm procesory Celeron N3000, N3050, N3150 a Pentium N3700 ( Braswell )
  31. ↑ UMC se připojí k IBM při vývoji 10nm procesní technologie . Získáno 17. června 2013. Archivováno z originálu 19. června 2013.
  32. ↑ Uniklé body Intel k 10nm procesní technologii v roce 2018 Archivováno 23. prosince 2011 na Wayback Machine // 3DNews
  33. ↑ 10nm procesory Intel se objeví ještě letos, ale ve velmi omezeném množství Archivováno 30. října 2017 na Wayback Machine // IXBT.com, Oct 2017
  34. ↑ Příští rok plánuje TSMC zahájit zkušební provoz a v roce 2016 - sériovou výrobu podle 10 nm standardů Archivováno 10. února 2019 na Wayback Machine // IXBT.com
  35. ↑ [2] Archivováno 7. listopadu 2017 na Wayback Machine // eetimes.com
  36. ↑ [3] Archivováno 7. listopadu 2017 na Wayback Machine // eetimes.com
  37. ↑ 10nm procesory Intel Ice Lake mohou být zpožděny až do roku 2020 (Fakt, že se Intel nepohodl s 10nm procesem, již není tajemstvím) Archivováno 18. září 2018 na Wayback Machine // IXBT.com, 18. září 2018
  38. ↑ Specifikace Snapdragon 845 | AndroidLime . androidlime.ru Staženo 23. 5. 2018. Archivováno z originálu 24. 5. 2018.
  39. ↑ Plán vydání 7nm společnosti Intel v roce 2022 bude poměrně napjatý
  40. ↑ Andrey Schilling. Srovnání procesů: TSMC 5 nm, Intel 10 nm a GloFo 7 nm . "Hardwareluxx" (18. května 2018). Získáno 10. září 2019. Archivováno z originálu 09. března 2019.
  41. ↑ Výroba procesorů Apple A12 pro nové iPhony zahájena  (ruština) , Wylsacom  (23. května 2018). Archivováno z originálu 1. srpna 2018. Staženo 1. srpna 2018.
  42. ↑ Huawei zahajuje výrobu procesoru Kirin 980 pro Mate 20, P30 a další smartphony  (ruské) , AKKet  (8. dubna 2018). Archivováno z originálu 1. srpna 2018. Staženo 1. srpna 2018.
  43. ↑ Snapdragon 855 spuštěn do sériové výroby  (ruština) , android-1.com . Archivováno z originálu 1. srpna 2018. Staženo 1. srpna 2018.
  44. ↑ AMD Ryzen 3000: Vše, co potřebujete vědět o CPU nové generace . THG.ru (5. února 2019). Získáno 7. března 2019. Archivováno z originálu dne 7. března 2019.
  45. ↑ Čínský SMIC vydává 7nm čipy na starém zařízení asi rok - jsou podobné řešením TSMC
  46. ↑ AMD: první taková CPU budou vydána až příští rok Archivováno 3. listopadu 2018 na Wayback Machine // IXBT.com , listopad 2018
  47. ↑ AMD se připravuje na převzetí trhu s notebooky se 7nm APU Ryzen 4000 Archivováno 5. dubna 2020 na Wayback Machine // 3DNews, 03/16/2020
  48. ↑ CPU AMD Zen 3 přinášejí novou architekturu , významné zisky IPC a další  . Staženo 14. ledna 2020. Archivováno z originálu dne 26. prosince 2019.
  49. ↑ TSMC odhaluje 6nanometrový  proces . TSMC. Získáno 18. dubna 2019. Archivováno z originálu dne 18. dubna 2019.
  50. ↑ TSMC dokončuje vývoj 5nm procesní technologie – začíná riskantní výroba . 3D News . Staženo 10. dubna 2019. Archivováno z originálu 8. dubna 2019.
  51. ↑ Partneři ekosystémů TSMC a OIP poskytují první kompletní návrhovou infrastrukturu pro 5nm procesní  technologii . TSMC. Staženo 18. dubna 2019. Archivováno z originálu 14. dubna 2019.
  52. ↑ 1 2 Konstantin Chodakovskij. TSMC hovořilo o slibných technických procesech: 2nm – ve vývoji, 3nm a 4nm – na cestě k výrobě v roce 2022 . 3dnews.ru (27. dubna 2021). Získáno 28. dubna 2021. Archivováno z originálu dne 28. dubna 2021.
  53. ↑ Samsung příští rok zvýší na 7nm Archivováno 13. července 2017 na Wayback Machine // fudzilla.com
  54. ↑ Alexey Razin. Samsung zahájil masovou výrobu 5nm čipů a chystá se nabídnout 4nm . 3dnews.ru (2. listopadu 2020). Získáno 28. dubna 2021. Archivováno z originálu dne 7. listopadu 2020.
  55. ↑ Imec a Cadence Tape Out Industry první 3nm testovací čip . Získáno 18. března 2018. Archivováno z originálu 18. března 2018.
  56. ↑ 1 2 Intel udělal rekordní skok v technologii. Přejde od 10nm čipů k nejmodernějším 3nm
  57. ↑ Samsung plánuje zahájit 3nm masovou výrobu v roce 2021 . 3D News Daily Digital Digest . Staženo 10. dubna 2019. Archivováno z originálu 10. dubna 2019.
  58. ↑ Samsung plánuje hromadnou výrobu 3nm čipů GAAFET v roce 2021  . Tom's Hardware (11. ledna 2019). Staženo: 18. ledna 2019.
  59. ↑ „ Schrödingerův Samsung“: výroba nejnovějších 3nm procesorů není tak masivní, jak bylo oznámeno
  60. ↑ návštěva Jižní Koreje – Americký prezident Joseph Biden podepsal křemíkový plátek se vzorky prvních 3nm čipů vyrobených společností Samsung Electronics Archival kopie z 5. srpna 2022 na Wayback Machine // 08/3/2022
  61. ↑ https://www.cnews.ru/news/top/2021-05-06_sozdan_pervyj_v_mire_protsessor . cnews.ru _ Získáno 6. května 2021. Archivováno z originálu dne 6. května 2021.
  62. ↑ Dr. Ian Cutress. IBM vytváří první 2nm čip . anandtech . Získáno 6. května 2021. Archivováno z originálu dne 6. května 2021.
  63. ↑ TSMC by mohlo zlepšit výkon 2nm procesu, ale bylo by to příliš drahé
  64. ↑ TSMC oznámila procesní technologii N2 – 2nm čipy se objeví v roce 2026
  65. ↑ Mark Tyson . Intel Senior Fellow předpovídá Moore's Law zářnou budoucnost Archivováno 11. srpna 2020 na Wayback Machine // Hexus, 12. prosince   2019

Literatura

Odkazy