PROM ( angl. P programmable Rread-Only Memory , programovatelná ROM, PROM ) je třída polovodičových paměťových zařízení, paměť pouze pro čtení s pojistkovými propojkami.
Paměť je dvourozměrné pole vodičů (řady a sloupce), na jejichž průsečíku se nachází sériově zapojená dioda (nebo pn-přechod tranzistoru) a speciální propojka z kovu (například nichrom popř. slitina titanu a wolframu ) nebo amorfní křemík. Programování spočívá v průchodu proudu přes příslušnou propojku, která jej roztaví nebo odpaří. Roztavené propojky nelze obnovit.
Navzdory zjevné spolehlivosti takového řešení se tato technologie ukázala jako velmi vrtošivá. Během programování kovové propojky tvořily kapky a páry kovu, které se usazovaly zpět na krystal v těch nejneočekávanějších místech s odpovídajícími nepříjemnými následky. Polysilikonové propojky mají schopnost samoléčení díky migraci atomů. Z tohoto důvodu musely být mikroobvody po naprogramování dlouhodobě udržovány při vysoké teplotě, aby bylo možné identifikovat případné závady tohoto typu.
Nakonec byla paměť tavných propojek ve většině aplikací nahrazena řešeními tranzistorů s plovoucí bránou ( EPROM , EEPROM a flash paměti ).