Heterojunkce je kontakt mezi dvěma různými polovodiči .
Heteropřechody se běžně používají k vytvoření potenciálních jamek pro elektrony a děr ve vícevrstvých polovodičových strukturách ( heterostrukturách ). Například laser na dvojité heterostruktuře je vyroben na bázi dvojice polovodičů - GaAs a jeho tuhého roztoku s AlAs - Al x Ga 1-x As. Elektrony a díry jsou vstřikovány do tenké vrstvy GaAs, která má užší zakázané pásmo ve srovnání s vrstvami Al x Ga 1-x As umístěnými podél jejích okrajů , které se zde rekombinují s emisí fotonů.
Modulované-dopované heterostruktury se používají k získání dvourozměrného elektronového plynu s vysokou pohyblivostí , který je nezbytný pro studium frakčního kvantového Hallova jevu , stejně jako pro vytvoření pole s efektem a bipolárních tranzistorů pro ultrarychlou elektroniku. Kombinací různých polovodičů lze vytvořit další zajímavé struktury: supermřížky , struktury s více kvantovými jámami . Pokud mají polovodiče různé mřížkové konstanty , pak je možné vytvářet struktury se samotvornými kvantovými tečkami .