Solid-phase epitaxy zkr., TFE ( angl. solid phase epitaxy abbr., eng. SPE ) je metoda pěstování epitaxního filmu, při které se nejprve při nízké teplotě nanese neuspořádaný (amorfní) film, poté se krystalizoval při vyšších teplotách (které však jsou pod bodem tání tohoto materiálu).
Obvykle se epitaxe v pevné fázi provádí nanesením amorfního filmu na monokrystalický substrát. Poté se substrát zahřeje, v důsledku čehož film krystalizuje. Za jednu z variant epitaxe na pevné fázi je považováno žíhání , které se používá k rekrystalizaci křemíkových vrstev amorfovaných pomocí iontové implantace. Během tohoto procesu dochází k segregaci a redistribuci nečistot na hranici rostoucí amorfní vrstvy. Tato metoda se používá k zavádění nečistot s nízkou rozpustností v křemíku [1] .