Sovětské mikročipy pro stavbu úložných zařízení

Polovodičová paměťová zařízení se široce používají k vytváření počítačové paměti, a to jak paměti s náhodným přístupem, tak trvalé paměti. Tato zařízení jsou často postavena na mikročipech . V závislosti na konstrukčních požadavcích na vytvářený počítač se provádí výběr typu, typu a konkrétní řady mikroobvodů.

Shrnutí mikroobvodů používaných v SSSR k vytvoření počítačové paměti

Polovodičová paměťová zařízení LSI používaná v počítačích
Typ Technologie
výroby

Objem informací , bit
Organizace,
slova × číslice
Doba načtení adresy
, ns
Příkon
, mW
Statická RAM
K550RU145 ESL 64 1×1 deset 825
K531RU11P TTLSH 64 16×1 40 550
K155RU5 TTL 256 256×1 90 735
K176RU2 CMOS 256 256×1 900 19
K561RU2A/B CMOS 256 256×1 970/1600 2,8/5
K132RU2A/B n-MOS 1 TO 1K×1 950 440
K132RU3A/B n-MOS 1 TO 1K×1 75/125 660
K155RU7 TTL 1 TO 1K×1 45 840
K537RU1A/B/V CMOS 1 TO 1K×1 800/1300/2500 0,5
KR565RU2A/B n-MOS 1 TO 1K×1 450/850 385
KM132RU8A/B n-MOS 4 K 1K×4 60/100 900
K541RU2A I2L 4 K 1K×4 120/90 525
KR537RU3A/B/V CMOS 4 K 4K×1 320 110
KR537RU4A/B CMOS 4 K 4K×1 200/300
350/500 (cyklus)
0,125 (úložiště)
100 (dynamické)
KR537RU6A/B CMOS 4 K 4K×1 160/300
240/390 (cyklus)
0,05/0,15 (úložiště)
KR537RU11A/B/V CMOS 4 K 0,25 kB × 16 300/300/430 (cyklus) 0,15/0,4/1,5 (úložiště)
KR537RU13/A/B CMOS 4 K 1K×4 160/95/160 (cyklus) 25 (úložiště)
250 (dynamické)
KR537RU14A/B CMOS 4 K 4K×1 80/130 (cyklus) 25 (úložiště)
175 (dynamické)
K541RU31…34 I2L 8 K 8K×1 150 565
KR537RU8A/B CMOS 16 K 2K×8 220/400 5/10 (úložiště)
50/100 (dynamické)
KR132RU6A/B n-MOS 16 K 16K×1 75/120 140/440
K541RU3/A I2L 16 K 16K×1 150/100 565
KR537RU9A/B CMOS 16 K 2K×8 190/340
350/500 (cyklus)
1/2,5 (úložiště)
175 (dynamické)
KR537RU10 CMOS 16 K 2K×8 450
450 (cyklus)
25 (úložiště)
<300 (dynamické)
KR537RU25A/B/V CMOS 16 K 2K×8 450
450 (cyklus)
0,025...0,05 (úložiště)
<250 (dynamické)
KR537RU18 CMOS 16 K 16K×1 150 1,25...2 (úložiště)
100 (dynamické)
KR537RU16A/B/W/G CMOS 64 tis 8K×8 150...400
150...400 (cyklus)
5...10 (úložiště)
175...250 (dynamické)
KR537RU17 CMOS 64 tis 8K×8 130
130 (cyklus)
0,38...0,75 (úložiště)
350 (dynamické)
KR537RU19/A/B CMOS 64 tis 64K×1 65...95 1,25 (úložiště)
350 (dynamické)
Dynamická RAM
KR565RU6B/W/G/D n-MOS 16 K 16K×1 230…460 150/140/130/120
K565RU5B/W/G/D n-MOS 64 tis 64K×1 230…460 21…32
K565RU7V/G/D n-MOS 256 K 256 k×1 340/410/500 120…150
Maska ROM
K155RE21/22/23/24 TTL 1 TO 256×4 70 690
KR568RE2 n-MOS 64 tis 8K×8 400 590
K569RE1 TTL 64 tis 8K×8 350 640
KR568RE3 n-MOS 64 tis 16K×4 800 300
Jednorázové programovatelné ROM
KR556RT1B TTLSH 8 K 2K×4 60 740
KR556RT16 TTLSH 64 tis 8K×8 85 1000
KR556RT17 TTLSH 4 K 0,512 K×8 padesáti 890
KR556RT18 TTLSH 16 K 2K×8 60 950
Přeprogramovatelné ROM
K573RF23/24 n-MOS 8 tis 2K×4 450 200/580
K573RF33/34 n-MOS 16 K 1K×16 200/580 200/580
K573RF2 n-MOS 16 K 2K×8 450 200/580
K537RF5 n-MOS 16 K 2K×8 450 135/580
K573RF31/32 n-MOS 32 K 2K×16 450 450
K537RF41/42 n-MOS 32 K 4K×8 500 700
K573RF43/44 n-MOS 32 K 8K×4 N/A N/A
K573RF3 n-MOS 64 tis 4K×16 450 210/450
K573RF4 n-MOS 64 tis 8K×8 500 200/700
K573RF6 n-MOS 64 tis 8K×8 500 265/870

Čipy pro stavbu RAM

IC Typ pláště Poznámka
Statická RAM n-MOS řady K132; +5 V
K132RU3A 4112,16-2 Statická RAM 1K×1; 60 ns
K132RU3B 4112,16-2 Statická RAM 1K×1; 110 ns
Statická RAM n-MOS řady KM132; +5 V
KM132RU3A 201.16-8 Statická RAM 1K×1; 60 ns
KM132RU3B 201.16-8 Statická RAM 1K×1; 110 ns
KM132RU5A 2104,18-1 Statická RAM 4K×1; 60 ns
KM132RU5V 2104,18-1 Statická RAM 4K×1; 55 ns
KM132RU8A 2104,18-1 Statická RAM 1K×4; 60 ns
KM132RU8B 2104,18-1 Statická RAM 1K×4; 100 ns
KM132RU9A 2104,18-1 Statická RAM 1K×4; 50 ns
KM132RU9B 2104,18-1 Statická RAM 1K×4; 90 ns
Statická RAM n-MOS řady KR132; +5 V
KR132RU3A 2103,16-6 Statická RAM 1K×1; 60 ns
KR132RU3B 2103,16-6 Statická RAM 1K×1; 110 ns
KR132RU4A 2103,16-6 Statická RAM 1K×1; 33 ns
KR132RU4B 2103,16-6 Statická RAM 1K×1; 50 ns
KR132RU6A 2140Yu.20-3 Statická RAM 16K×1; 45 ns; 410 mW
KR132RU6B 2140Yu.20-3 Statická RAM 16K×1; 70 ns; 410 mW
KR132RU7 2140Yu.20-3 Statická RAM 2K×8; 250 ns
Řada KM185 TTL RAM; +5 V
KM185RU7 2108,22-1 RAM 256×4; 75 ns; 495 mW
KM185RU7A 2108,22-1 RAM 256×4; 45 ns; 450 mW
KM185RU8 2108,22-1 RAM 256×8; 45 ns; 925 mW
KM185RU10 2108,22-1 RAM 16K×1; 50 ns; 750 mW
RAM TTL řady KR185; +5V
KR185RU7 210A.22-3 RAM 256×4; 75 ns; 495 mW
KR185RU7A 210A.22-3 RAM 256×4; 45 ns; 450 mW
Statická RAM CMOS řady KR188
KR188RU2A 238,16-1 Statická RAM 256×1; 500 ns
Statická RAM CMOS řady K537; +5 V
K537RU3A 4116,18-1 Statická RAM 4K×1; 250 ns
K537RU3B 4116,18-1 Statická RAM 4K×1; 160 ns
K537RU4A 4116,18-1 Statická RAM 4K×1; 200 ns; 40 μW (v režimu ukládání informací)
K537RU4B 4116,18-1 Statická RAM 4K×1; 300 ns; 80 μW (v režimu ukládání informací)
K537RU4V 4116,18-1 Statická RAM 4K×1; 500 ns; 80 μW (v režimu ukládání informací)
K537RU13 427,18-2,02 Statická RAM 1K×4; 150 ns; 60 μW (v režimu ukládání informací)
Statická RAM CMOS řady KM537; +5 V
KM537RU1 201.16-15 Statická RAM 1K×1; 300 ns
Statická RAM CMOS řady KP537; +5 V
KR537RU1 238,16-1 Statická RAM 1K×1; 300 ns
KR537RU2A 2107,18-4 Statická RAM 4K×1; 300 ns
KR537RU2B 2107,18-4 Statická RAM 4K×1; 430 ns
KR537RU3A 2107,18-1 Statická RAM 4K×1; 250 ns; 100 mW; 5 μW (v režimu ukládání informací)
KR537RU3B 2107,18-1 Statická RAM 4K×1; 160 ns; 100 mW; 250 μW (v režimu ukládání informací)
KR537RU5A 210A.22-3 Statická RAM 1K×4; 300 ns
KR537RU5B 210A.22-3 Statická RAM 1K×4; 400 ns
KR537RU8A 239,24-2 Statická RAM 2K×8; 220 ns
KR537RU8B 239,24-2 Statická RAM 2K×8; 400 ns
KR537RU10A 239,24-2 Statická RAM 2K×8; 200 ns
KR537RU11A 239,24-2 Statická RAM 256x16; 440 ns; 1,5 mW (v režimu úložiště)
KR537RU11B 239,24-2 Statická RAM 256x16; 440 ns; 2,4 mW (v režimu úložiště)
KR537RU13 2107,18-1 Statická RAM 1K×4; 160 ns
Série K541 TTLSH-IIL; +5 V
K541RT1 402,16-21 ROM 256×4; 80 ns; 400 mW
K541RU2 427,18-2,03 Statická RAM 1K×4; 120 ns
K541RU2A 427,18-2,03 Statická RAM 1K×4; 90 ns; 525 mW
Série KR541 TTLSH-IIL; +5 V
KR541RU1 2107,18-1 Statická RAM 4K×1; 100 ns; 490 mW
KR541RU1A 2107,18-1 Statická RAM 4K×1; 70 ns; 450 mW
KR541RU2 2107,18-1 Statická RAM 1K×4; 120 ns; 550 mW
RAM n-MOS řady KE565
KE565RU1A 2108,22-8 Dynamická RAM 4K×1; 400 ns; +5, -5, -12 V
KE565RU1B 2108,22-8 Dynamická RAM 4K×1; 590 ns; +5, -5, -12 V
RAM n-MOS řady KR565
KR565RU1A 210A.22-3 Dynamická RAM 4K×1; 400 ns; +5, -5, -12V
KR565RU1B 210A.22-3 Dynamická RAM 4K×1; 590 ns; +5, -5, -12V
KR565RU5V 2103,16-8 Dynamická RAM 64K×1; 150 ns; +5V; 195 mW
KR565RU5G 2103,16-8 Dynamická RAM 64K×1; 200 ns; +5V; 185 mW
KR565RU5E 2103,16-8 Dynamická RAM asi 64K×1; 250 ns; +5V; 160 mW
KR565RU6B 2103,16-2 Dynamická RAM 16K×1; 120 ns; +5V; 140 mW
KR565RU6V 2103,16-2 Dynamická RAM 16K×1; 150 ns; +5V; 120 mW
KR565RU6G 2103,16-2 Dynamická RAM 16K×1; 200 ns; +5V; 115 mW
KR565RU6D 2103,16-2 Dynamická RAM 16K×1; 250 ns; +5V; 110 mW
Série K1500 ESL se zvýšenou rychlostí; -4,5 V
K1500RU073 4114,24-3 RAM 64×4, 6 ns; 990 mW
Řada KM1603
KM1603RU1 210A.22-1 Statická RAM 256x4; 360 ns; 75 μW (v režimu ukládání informací)

K565RU3

K565RU3  - elektronická součástka, dynamický čip RAM s náhodným přístupem s kapacitou 16 384 bitů a organizací 16 384 × 1.

K565RU7

Mikroobvod K565RU7 je zařízení s náhodným vzorkováním dynamického typu s kapacitou 262 144 bitů (organizace 262 144 × 1 bit) vyrobené polovodičovou technologií na n-kanálových MOSFETech .

Čipy pro stavbu ROM

IC Typ pláště Poznámka
Řada KR556 TTLSH-PPZU;
KR556RT2 2121,28-1 PLM matice, 16 vstupních proměnných, 48 konjunkcí, 8 výstupních proměnných, TS
KR556RT4 238,16-2 ROM 256×4; OK; 70 ns; 683 mW
KR556RT4A 238,16-2 ROM 256×4; OK; 45 ns; 683 mW
KR556RT5 239,24-2 ROM 512×8; OK; 70 ns; 1W
KR556RT6 239,24-2 ROM 2Kx8; OK; 80 ns; 1W
KR556RT7 239,24-2 ROM 2Kx8; TS; 80 ns; 1W
KR556RT11 238,16-2 ROM 256×4; TS; 45 ns; 650 mW
KR556RT16 239,24-2 ROM 8Kx8; TS; 85 ns; 950 mW
KR556RT18 239,24-2 ROM 2Kx8; TS; 60 ns; 900 mW
KR556RT20 239,24-2 ROM 1Kx8; TS; 30 ns; 960 mW
Řada KR558 EEPROM; +5, -12V
KR558RR1 405,24-7 EEPROM 256×8; 5 us; 370 mW
KR558RR2A 405,24-7 EEPROM 2Kx8; 350 ns; 490 mW
KR558RR2B 405,24-7 EEPROM 2Kx8; 700 ns; 490 mW
KR558RR4 2121,28-5 EEPROM 8Kx8; 400 ns; 400 mW
CR558HP1 239,24-2 7místný dekadický čítač, EEPROM, dekodér binárního kódu
CR558HP2 2103,16-6 24bitový posuvný registr, EPROM 16×24; 310 mW
ROM MOS řady KR568; +5, +12, -5V
KR568RE1 2120,24-3 ROM statický typ 2Kx8; 700 ns
KR568RE2 2121,28-5 ROM 8Kx8; 250 ns; 420 mW
KR568RE3 2121,28-5 ROM 16Kx8; 550 ns; 315 mW
Řada 573 PROM
K573PP2 2120,24-1,02 EEPROM 2Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
К573РР21 2120,24-1,02 EEPROM 1Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
К573РР22 2120,24-1,02 EEPROM 1Kx8; 350 ns; +5V; 590 mW
K573RF1 210B.24-5 PROM s UV mazáním 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF2 210B.24-5 PROM s UV mazáním 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF3 210B.24-5 PROM s UV mazáním 4Kx16; 400 ns; +5V; 200 mW
K573RF3A 210B.24-5 PROM s UV mazáním 4Kx16; 550 ns; +5V; 446 mW
K573RF3B 210B.24-5 PROM s UV mazáním 4Kx16; 800 ns; +5V; 446 mW
K573RF4A 2121,28-8 PROM s UV mazáním 8Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF4B 2121,28-8 PROM s UV mazáním 8Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF5 210B.24-5 PROM s UV mazáním 2Kx8; 450 ns; +5V; 525 mW
K573RF6A 2121,28-6,04 PROM s UV mazáním 8Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF6B 2121,28-6,04 PROM s UV mazáním 8Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF7 2121,28-6 PROM s UV mazáním 32Kx8; 300 ns; 600 mW
K573RF11 210B.24-5 PROM s UV mazáním 512×8; 450 ns; 820 mW
K573RF12 210B.24-5 PROM s UV mazáním 512×8; 450 ns; 820 mW
K573RF13 210B.24-5 PROM s UV mazáním 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF14 210B.24-5 PROM s UV mazáním 1Kx8; 450 ns; 820 mW
K573RF21 210B.24-5 PROM s UV mazáním 1Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF22 210B.24-5 PROM s UV mazáním 1Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF23 210B.24-5 PROM s UV mazáním 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF24 210B.24-5 PROM s UV mazáním 2Kx8; 450 ns; 440 mW
K573RF31 210B.24-5 PROM s UV mazáním 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF32 210B.24-5 PROM s UV mazáním 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF33 210B.24-5 PROM s UV mazáním 2Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF34 210B.24-5 PROM s UV mazáním 1Kx16; 400 ns; 400 mW
K573RF41A 2121,28-8 PROM s UV mazáním 4Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF41B 2121,28-8 PROM s UV mazáním 4Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF42A 2121,28-8 PROM s UV mazáním 4Kx8; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF42B 2121,28-8 PROM s UV mazáním 4Kx8; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF43A 2121,28-8 PROM s UV výmazem 8Kx4; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF43B 2121,28-8 PROM s UV výmazem 8Kx4; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF44A 2121,28-8 PROM s UV výmazem 8Kx4; 300 ns; +5V; 650 mW
K573RF44B 2121,28-8 PROM s UV výmazem 8Kx4; 450 ns; +5V; 650 mW
K573RF61A 2121,28-6,04 PROM s UV mazáním 4Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF61B 2121,28-6,04 PROM s UV mazáním 4Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF62A 2121,28-6,04 PROM s UV mazáním 4Kx8; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF62B 2121,28-6,04 PROM s UV mazáním 4Kx8; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF63A 2121,28-6,04 PROM s UV výmazem 8Kx4; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF63B 2121,28-6,04 PROM s UV výmazem 8Kx4; 450 ns; +5V; 790 mW
K573RF64A 2121,28-6,04 PROM s UV výmazem 8Kx4; 300 ns; +5V; 790 mW
K573RF64B 2121,28-6,04 PROM s UV výmazem 8Kx4; 450 ns; +5V; 790 mW

Viz také

Poznámky

Literatura

Odkazy